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从第一代到第六代——碳化硅肖特基二极管技术的发展

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课程介绍

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讲师介绍:

崔京京(Alex Cui)    毕业于浙江大学,电力电子器件方向硕士,曾长期任职于浙江大学苏州工业技术研究院,负责电力电子器件设计、SiC芯片工艺开发、国内首条高校SiC半导体工艺线的建设和运行。2018年加入瑞能半导体,负责SiC功率器件产品的设计开发。    

直播要点:

  • 碳化硅产业链全景
  • 碳化硅二极管技术发展历程
  • 瑞能碳化硅MPS二极管技术优势
  • 瑞能碳化硅产品快速选型

内容截图:

课程介绍:

碳化硅SiC)材料由于高禁带宽度,高导热系数等特性,已经大量应用于商用级别功率半导体器件的制造。自本世纪初开始商业化以来,碳化硅肖特基二极管已有近20年的成熟应用历史。产品技术从早期的Pure Schottky产品,进化为后来的 Junction Barrier Schottky (JBS) 产品到最新的超低导通压降(Low VF)产品,已完成了6次技术迭代这些历代产品分别采用了哪些特殊的工艺技术?提升了产品哪些方面的性能?瑞能碳化硅二极管产品又有哪些独特的技术特点?

本次直播我们将由碳化硅产业链全景介绍出发,从碳化硅器件工艺和产品设计的角度,带大家一起回顾碳化硅二极管产品的技术发展历程。同时介绍瑞能早在NXP时期就已服务于市场的SiC MPS二极管产品的技术特点,为您揭开瑞能SiC二极管产品长期获得全球top客户认可的技术密码。

课程特色:

  • 碳化硅产业链全景
  • 碳化硅二极管技术发展历程
  • 瑞能碳化硅MPS二极管技术优势
  • 瑞能碳化硅二极管产品快速选型

适合对象:

  • 电源设计工程师
  • 应用工程师
  • 器件工程师
  • 相关专业学生