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碳化硅功率器件选型要点及国产碳化硅芯片项目面临的八个实际问题

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课程介绍

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嘉宾介绍:

高远

  • 泰科天润应用测试中心主任
  • 《碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术》作者
  • 泰克科技电源功率器件领域外部专家
  • 第三代半导体产业技术创新战略联盟产业导师

个人介绍

  • 现任泰科天润应用测试中心主任。中国电工技术学会电力电子专业委员会青年工程师工作组委员,第三代半导体产业技术创新战略联盟产业导师,泰克科技电源功率器件领域外部专家。
  • 主要从事功率半导体器件的特性测试、评估及应用的关键技术研究工作,致力于推进功率半导体器件教育在高等学校普及和推广先进功率器件在工业界应用。发表学术论文8篇,授权专利4项,出版专著《碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术》,收录于机械工业出版社“电力电子新技术系列图书”和“半导体与集成电路关键技术丛书”,并列入“十四五”国家重点出版物。

主题背景:

  • SiC MOSFET以优异的特性大幅提高了电源性能,但同时带了使用时的技术挑战。在器件选型阶段需要关注具体应用要求与器件重点参数的联系,可以为更好地使用SiC MOSFET奠定基础。
  • 此外,国产碳化硅产业发展势头正旺,政府和投资机构密切关注,电源工程师也陷入了国产器件选择困难。了解国产器件发展现状、产业化模式、未来预期,将为广大行业相关人员提供参考。

直播要点:

  • SiC Diode主要特性及选型要点
  • SiC MOSFET主要特性及选型要点
  • 国产碳化硅芯片项目面临的八个实际问题

适合对象:

  • 硬件工程师
  • 器件工程师
  • 质量/可靠性工程师
  • 电气工程、电力电子相关专业学生