65人加入学习
(0人评价)

碳化硅功率器件技术发展现状及几点思考

价格 免费
课程介绍

感谢您使用电巢APP, PC端建议使用Google Chrome浏览器进行观看!

1、直播介绍

    碳化硅功率器件具有耐高压、耐高温、低损耗等优良性能,能够满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化迫切需求。受益于汽车电动化、电动汽车配套设备建设、5G基站及数据中心建设等应用端需求,近年来SiC功率器件的发展迅速,也成为研究机构和产业界最为关注热点之一,且SiC半导体功率器件战略意义重大,世界各个国家和地区均在努力推进发展该工作。过去20多年中,西安电子科技大学宽禁带重点实验室一直致力于碳化硅功率材料和器件关键技术的开发,本报告结合我们的主要研究成果,从碳化硅材料和器件研究的历程出发,分析该类器件关键的技术特点和难点,介绍国内外碳化硅功率MOSFET的发展趋势和现状,以及所面临的挑战,对于SiC功率器件的发展中存在的问题,和未来发展给出几点思考。

 

2、讲师介绍

张玉明 教授

西安电子科技大学微电子学院院长

 

张玉明,博士生导师,二级教授。分别在清华大学、西安电子科技大学和西安交通大学获学士、硕士和博士学位,美国 Rutgers-新泽西洲立大学博士后。现任西安电子科技大学微电子学院院长,西电芜湖研究院院长,“宽带隙半导体技术”国防重点实验室主任。长期从事新型半导体器件和集成电路方面的教学和研究工作,承担多项国家自然科学基金、国家重大专项、重点研发计划和国防科技项目,发表论文200余篇,已获授权发明专利37项,美国专利4项,获国家奖两项,省部级奖四项。

 

3、适合对象

硬件工程师

器件工程师

质量/可靠性工程师

电气工程、电力电子相关专业学生