机械应力包括：冲击，振动，违规操作

MLCC（陶瓷电容）：抗压不抗弯

温度应力，贴装应力

ECL：非饱和性逻辑

PECL：采用正电源（+5V）VCC接+，VEE接零点

3.3V为LVPECL 

LVDS：低压差分信号

HSTL：高速总线

SSTL：桩线串联接逻辑

VOH；输出高电平的最小值，VOL，VIH，VIL同理

驱动器件的VOH应大于接收器件的VIH，且留有噪声容限；驱动器件的VOL应小于接收器件的VIL，且留有一定噪声容限

EOS电过应力

时间长，一般有明显的熔融痕迹

静电的特点：长时间积累，高电压，小电流，低电量，作用时间短

潮敏期间，非塑封器件

logical circuit

TTL：电流控制，速度快，延迟短，功耗大

COMS：电压控制，速度慢，延迟长，功耗低

Emitter coupled logic，发射极耦合逻辑电路，电流开关逻辑电路，工作在线性区和截止区（非饱和区），速度快，制造工艺要求高，功率大，抗干扰能力弱

0.8V 1.2V 1.5V 1.8V 2.5V 3.3V 5V 5V+

CBT总线开关，CBTLV低电压总线开关

CB3T 低电压转换总线开关

LVC低电压CMOS，AUC超低电压CMOS

FPGA

硬件资源：逻辑资源，I/O资源，不限资源，DSP资源，存储器资源，锁相环资源，串行收发器资源，和硬核资源等；速度等级，电器接口标准。

ram掉电数据小时，rom掉电保持，flash有擦写次数有限，速度慢，一般为程序存储，例如电脑的BIOS

SRAM：静态RAM，不需要刷新，速度快，缺点是一个内存单元，需要晶体管多，价格贵，容量小

DRAM：动态RAM，需要刷新，容量大

SDRAM：同步动态RAM，需要刷新，速度快，容量大

DDR SDRAM：双通道动态RAM，需要刷新，速度快，容量大，时钟上升下降沿均可读写

NAND FLASH：按块读写，读写快

NOR FLASH：按字节读写，成本低

晶振参数

标称频差：上电1h后中心频率与标称频率的偏差

频率偏差：恒温晶振预热后中心频率与上电1h后中心频率的偏差

频率重复性：多次上下电后的频率稳定性

软磁：磁珠，电感，变压器，共模电感，电流互感器，磁芯

参数L：电感量L，直流电阻DCR，额定电流Irated，饱和电流Isat，自谐振频率SRF，品质因素Q

电容参数：稳态耐压，容值，公差，瞬时态dV/dt，单次冲击/重复性di/dt

参数选型：阻值、公差、耐压、功率、尺寸、温漂、温度范围、环保；（防硫化）

失效模式：开路，短路，硫化（阻值增大，开路），受潮阻值降低

失效机理：端电极银钯导带交叠长度不够，遇含硫气体生成Ag2S，阻值增大

质量定义：满足产品要求，质量管理要求，客户要求得程度得特性

质量等级：以执行标准及技术协议衡量

可靠性：规定时间规定条件下完成规定功能得能力。规定条件(热，化学，电磁，构造，疲劳，电化学），规定时间（储存时间，连续工作时间，间歇工作时间）

规定功能：判定器件好坏的依据，通常包括寿命，失效率。

可靠性工程，产品（系统，元件，器件等）无故障工作能力的指标

初始性能及随时间的变化量：初始性能满足标准要求，给出规定应力条件及规定时间对应的特征变化量

环境适应力：通过标准中的环境试验且有裕度

失效率：分为瞬时失效率和平均失效率

寿命：器件正常使用的时间或次数称为寿命。铝电解电容随使用时间演唱，容量下降；插接件随插接次数，电阻增加。