3W原则分析及应用
中心距S大于等于3W,可保证70%的电场不互相干扰。
仿真近端串扰和远端串扰。
微带线长度临界长度200mm,对近端串扰。
远端串扰随微带线的长度增加而增加。
不同介质厚度对串扰的影响。
近端串扰和远端串扰都随介质厚度的增大而增大。
因此减小PCB厚度可以有效降低串扰。
减小串扰采用介电常数小的材料。
20H原则
a、对于双平面结构，20H规则产生比正常结构更多的辐射。
b、对于多平面结构，20H规则应用于内部平面，辐射基本没有变化。
c、对于多平面结构，只有当VCC区域地过孔密度增加到一定程度（每7.5Mm2一个地过孔）时20H原则才能显著降低辐射。
