第一次仿真ESD寄生电容设置的是10pF,插损为-10dB，第二次仿真设置为0（不带ESD器件），第三次设置为带ESD器件的0.35pF，仿真结果插损为-0.3dB，满足要求
高速信号考虑ESD寄生电容值，下图为参考表：
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