材料堆SI的影响
材料堆SI的影响
时间5:00,PCIE阻抗控制不是100欧姆吗
MIPI
D-PHY: HS模式80M-1Gbps
LP模式<10Mbps
D-PHY支持双向数据传输或单向数据传输,CSI-2协议只需要单向数据传输。
HDMI1.2
总线带宽4.95Gbps 传输速率1.65Gbps 最高分辨率1600x1200p60
HDMI1.3
总线带宽10.2Gbps 传输速率3.4Gbps 最高分辨率2048x1536p75
HDMI1.4
总线带宽10.2Gbps 传输速率3.4Gbps 最高分辨率4095x2160p24
HDMI2.0
总线带宽18Gbps 传输速率6Gbps 最高分辨率4096x2160p60
HDMI2.1
总线带宽48Gbps 传输速率16Gbps 最高分辨率7680x4320p60
DFA器件摆放优先单面布局或者大器件优先放一面,另一面放低的阻容感器件;
双面SMT时正反面都要添加光学点,1mm焊盘直径2mm禁布区域;
器件距离传送边5mm以上,满足不了时板外增加5mm辅助边或者工艺边;
BGA器件与同层其他器件推荐5MM以上,最少3mm方便wei'x;
高速PCB布局关注点:
板材选择、叠层阻抗、走线长度、拓扑规划、电源通道
低损耗树脂有利于信号传输,低损耗玻璃纤维编织越紧凑越有利于信号传输,高速信号下,趋肤效应/深度以及铜牙长度直接关系到信号传输质量;
50MHZ
高速PCB叠层不仅指定PP类型、树脂含量还要指定芯板规格
将功能模块定义成一个group,方便调整布局快速移动、旋转等操作
接口模块摆放:
先防护后滤波,差分线需要交换时要整组交换,接口模块靠近接口摆放。
核心芯片模块摆放:
DDR1/2推荐T型拓扑摆放,匹配电阻放在T点;
DDR3/4按照Fly-By摆放,末端匹配电阻靠近末端存储芯片,匹配电阻到末端存储芯片布线长度≤500mil;有的DDR3主芯片不支持读写平衡的话,还是采用T型拓扑。
电源模块摆放:
远离易受干扰电路,如ADC、DAC、RF、时钟等电路模块;
专用电源靠近负载摆放。
布局优化:
优先保证关键(时钟线、高速线、模拟、射频)顺畅最短。
高速PCB规则:
板材、叠层、线宽、间距、线长、等长、回流、拓扑、过孔、载流、PDN。
3W原则:
前提条件是满足50欧姆阻抗或者说是满足同一个阻抗要求。
重要信号线(时钟、复位、高速差分等)使用3W规则,其他普通信号线不是必须要求。
满足3W原则减少70%线间干扰,满足10W原则减少98%线间干扰。
降低串扰的措施:
增加信号路径之间的间距;
使耦合长度尽量短;
在带状线层布线;
用平面作为返回路径;
减小信号路径的特性阻抗;
使用介电常数较低的叠层;
在封装和接插件中不要共用返回引脚;
使用两端和整条线上有短路过孔的防护布线(包地+均匀过孔);
降低信号上升/下降沿时间。
串扰只能降低不能消除,只是噪声的一部分
每条线上的总串扰来自于多个串扰源的串扰,所有串扰累加起来达到了最大值
降低反射:
差分线对内间距、失配长度等;
过孔要符合加工要求,超高速信号时过孔规格还要通过仿真确定;
通过软件控制走线、过孔、铜箔等之间的间距;
约束过孔数量,控制返回路径;
时序等长约束;
时钟、复位等重要信号线间距至少3W以上,差分线和其他信号线的距离≥20mil
存储器:
RAM(随机存储器)、ROM(只读存储器)
RAM(随机存储器):
SRAM(静态)、DRAM(动态)
预取架构:
ODT:
将匹配内置到芯片中,提高数据总线的信号质量
动态ODT:
进一步提高DDR3数据总线的信号质量,特别是多个负载,例如:双内存条系统中
拓扑结构:
小于4颗用T型或者FLY-BY差别不大,多余4颗甚至8颗以上FLY-BY效果会好很多